N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 8-Pin TSON Toshiba TPN14006NH,L1Q(M
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
3.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,412
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,511
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 0,412
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,511
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | € 0,412 | € 2 060,00 |
| 10000+ | € 0,381 | € 1 905,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
3.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.