Toshiba TTD1415B,S4X(S Dual PNP Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220SIS

RS tilauskoodi: 144-5248Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TTD1415B,S4X(S
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

7 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Collector Base Voltage

120 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Collector Cut-off Current

2µA

Height

15mm

Width

4.5mm

Maximum Power Dissipation

25 W @ 25 °C

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

100mm

Base Current

0.7A

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,636

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,789

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TTD1415B,S4X(S Dual PNP Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220SIS

10

Pakkauskoko 10
10€ 6,36
20€ 12,72
30€ 16,86
40€ 22,48
50€ 28,10
60€ 33,72
70€ 39,34
80€ 44,96
90€ 50,58
100€ 56,20
110€ 61,82
120€ 67,44
130€ 73,06
140€ 78,68
150€ 84,30

€ 0,636

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,789

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TTD1415B,S4X(S Dual PNP Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220SIS
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 6,36
20€ 12,72
30€ 16,86
40€ 22,48
50€ 28,10
60€ 33,72
70€ 39,34
80€ 44,96
90€ 50,58
100€ 56,20
110€ 61,82
120€ 67,44
130€ 73,06
140€ 78,68
150€ 84,30

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 20€ 0,636€ 6,36
30+€ 0,562€ 5,62

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

7 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Collector Base Voltage

120 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Collector Cut-off Current

2µA

Height

15mm

Width

4.5mm

Maximum Power Dissipation

25 W @ 25 °C

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

100mm

Base Current

0.7A

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja