N-Channel MOSFET, 5.5 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB Vishay Siliconix IRF730APBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.52mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.85mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 65,00
€ 1,30 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 81,58
€ 1,632 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
€ 65,00
€ 1,30 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 81,58
€ 1,632 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,30 | € 65,00 |
| 100 - 200 | € 1,00 | € 50,00 |
| 250 - 450 | € 0,951 | € 47,55 |
| 500+ | € 0,887 | € 44,35 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.52mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.85mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.