P-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3

RS tilauskoodi: 873-0976Tuotemerkki: Vishay SiliconixValmistajan osanumero.: SI7469DP-T1-E3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

29 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

105 nC @ 10 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Series

TrenchFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.07mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,012

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,015

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3

10

Pakkauskoko 10
10€ 0,12
20€ 0,24
30€ 0,36
40€ 0,48
50€ 0,50
60€ 0,60
70€ 0,70
80€ 0,80
90€ 0,90
100€ 0,80
110€ 0,88
120€ 0,96
130€ 1,04
140€ 1,12
150€ 1,20

€ 0,012

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,015

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 0,12
20€ 0,24
30€ 0,36
40€ 0,48
50€ 0,50
60€ 0,60
70€ 0,70
80€ 0,80
90€ 0,90
100€ 0,80
110€ 0,88
120€ 0,96
130€ 1,04
140€ 1,12
150€ 1,20

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,012€ 0,12
50 - 90€ 0,01€ 0,10
100+€ 0,008€ 0,08

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

29 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

105 nC @ 10 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Series

TrenchFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.07mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja