N-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSH402DN-T1-GE3

RS tilauskoodi: 178-3696Tuotemerkki: Vishay SiliconixValmistajan osanumero.: SiSH402DN-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.07mm

Series

TrenchFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,321

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,398

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSH402DN-T1-GE3

€ 0,321

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,398

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSH402DN-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.07mm

Series

TrenchFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

China