P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
1212
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.07mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,289
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,358
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,289
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,358
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
1212
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.07mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.