Dual N-Channel MOSFET, 40 (Channnel 1) A, 60 (Channel 2) A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 Vishay Siliconix
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 (Channnel 1) A, 60 (Channel 2) A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAIR 6 x 5
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
26.6 W, 60 W
Maximum Gate Source Voltage
+16 V, +20 V, -12 V, -16 V
Width
6mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.6 (Channel 1) nC @ 10 V, 62 (Channel 2) nC @ 10 V
Height
0.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,839
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,04
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,839
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,04
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 (Channnel 1) A, 60 (Channel 2) A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAIR 6 x 5
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
26.6 W, 60 W
Maximum Gate Source Voltage
+16 V, +20 V, -12 V, -16 V
Width
6mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.6 (Channel 1) nC @ 10 V, 62 (Channel 2) nC @ 10 V
Height
0.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.