Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
27.8 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
3.15mm
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.07mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 290,00
€ 0,43 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 618,95
€ 0,54 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1 290,00
€ 0,43 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 618,95
€ 0,54 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
27.8 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
3.15mm
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.07mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.