IRF9530PBF P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,40
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 1,736
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
5
€ 1,40
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 1,736
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,40 | € 7,00 |
| 25+ | € 1,10 | € 5,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.