Vishay N-Channel MOSFET, 1.7 A, 900 V, 3-Pin TO-220AB IRFBF20PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1,60
€ 1,60 kpl (ilman ALV)
€ 2,01
€ 2,01 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 1,60
€ 1,60 kpl (ilman ALV)
€ 2,01
€ 2,01 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,60 |
| 10 - 49 | € 1,15 |
| 50 - 99 | € 1,00 |
| 100 - 249 | € 0,91 |
| 250+ | € 0,83 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.