Vishay N-Channel MOSFET, 9.8 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP IRFI640GPBF

RS tilauskoodi: 542-9664PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFI640GPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.8 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 21,50

€ 2,15 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 26,98

€ 2,70 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 9.8 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP IRFI640GPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 21,50

€ 2,15 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 26,98

€ 2,70 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 9.8 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP IRFI640GPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
10 - 49€ 2,15
50 - 99€ 2,05
100 - 249€ 1,90
250+€ 1,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.8 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja