Vishay N-Channel MOSFET, 16 A, 400 V, 3-Pin TO-247AC IRFP350LCPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
76 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.7mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 72,00
€ 7,20 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 90,36
€ 9,04 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
€ 72,00
€ 7,20 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 90,36
€ 9,04 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 10 - 49 | € 7,20 |
| 50 - 99 | € 6,60 |
| 100 - 249 | € 6,20 |
| 250+ | € 5,80 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
76 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.7mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.