Vishay P-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin DPAK IRFR9120TRPBF

RS tilauskoodi: 812-0648Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFR9120TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5.6 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

2.38mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 8,54

€ 0,854 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,72

€ 1,072 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay P-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin DPAK IRFR9120TRPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 8,54

€ 0,854 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,72

€ 1,072 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay P-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin DPAK IRFR9120TRPBF

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5.6 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

2.38mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja