N-Channel MOSFET, 2.4 A, 500 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU420PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 (Maximumn) nC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,20
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,488
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 1,20
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,488
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,20 | € 12,00 |
| 100 - 240 | € 1,15 | € 11,50 |
| 250 - 490 | € 1,05 | € 10,50 |
| 500 - 990 | € 0,971 | € 9,71 |
| 1000+ | € 0,911 | € 9,11 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 (Maximumn) nC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.