N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFZ14PBF

RS tilauskoodi: 541-1685Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFZ14PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

43 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.41mm

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Height

9.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,81

kpl (ilman ALV)

€ 1,00

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFZ14PBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,81

kpl (ilman ALV)

€ 1,00

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFZ14PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 0,81
10 - 49€ 0,72
50 - 99€ 0,66
100 - 249€ 0,61
250+€ 0,56

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

43 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.41mm

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Height

9.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja