N-Channel MOSFET, 600 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 Vishay SI1302DL-T1-E3

RS tilauskoodi: 655-6795Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI1302DL-T1-E3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

480 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

280 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.86 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Transistor Material

Si

Width

1.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,413

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,512

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 600 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 Vishay SI1302DL-T1-E3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,413

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,512

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 600 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 Vishay SI1302DL-T1-E3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,413€ 4,13
100 - 490€ 0,311€ 3,11
500 - 990€ 0,29€ 2,90
1000 - 2490€ 0,228€ 2,28
2500+€ 0,195€ 1,95

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

480 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

280 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.86 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Transistor Material

Si

Width

1.35mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja