P-Channel MOSFET, 1.6 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) Vishay SI1403CDL-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
222 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
600 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,108
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,134
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
25
€ 0,108
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,134
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
25
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
222 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
600 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.