Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 400 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1553CDL-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
400 mA, 700 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.48 Ω, 578 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
340 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.2 nC @ 10 V, 1.9 nC @ 10 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,96
€ 0,348 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 8,73
€ 0,437 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
20
€ 6,96
€ 0,348 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 8,73
€ 0,437 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
400 mA, 700 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.48 Ω, 578 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
340 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.2 nC @ 10 V, 1.9 nC @ 10 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.