Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3

RS tilauskoodi: 812-3091Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI1922EDH-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

263 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

1.6 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Hintaa ei saatavilla1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 16,55

€ 0,331 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,77

€ 0,415 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 16,55

€ 0,331 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,77

€ 0,415 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Hintaa ei saatavilla1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

263 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

1.6 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Hintaa ei saatavilla1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)