N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2302DDS-T1-GE3

RS tilauskoodi: 152-6358Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI2302DDS-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.85V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

0.71 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.5 nC @ 4.5 V

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,434

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,538

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2302DDS-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,434

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,538

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2302DDS-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 225€ 0,434€ 10,85
250 - 600€ 0,409€ 10,22
625 - 1225€ 0,369€ 9,22
1250 - 2475€ 0,347€ 8,68
2500+€ 0,326€ 8,15

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.85V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

0.71 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.5 nC @ 4.5 V

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja