Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,58
€ 0,303 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,51
€ 0,38 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
€ 7,58
€ 0,303 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,51
€ 0,38 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,303 | € 7,58 |
| 250 - 600 | € 0,284 | € 7,10 |
| 625 - 1225 | € 0,257 | € 6,42 |
| 1250 - 2475 | € 0,243 | € 6,08 |
| 2500+ | € 0,227 | € 5,68 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.