N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2374DS-T1-GE3

RS tilauskoodi: 152-6360Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI2374DS-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

41 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Number of Elements per Chip

1

Width

1.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

13.4 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,326

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,404

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2374DS-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 16,30
100€ 32,60
150€ 48,90
200€ 65,20
250€ 57,00
300€ 68,40
350€ 79,80
400€ 91,20
450€ 102,60
500€ 101,00
550€ 111,10
600€ 121,20
650€ 131,30
700€ 141,40
750€ 151,50

€ 0,326

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,404

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2374DS-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 16,30
100€ 32,60
150€ 48,90
200€ 65,20
250€ 57,00
300€ 68,40
350€ 79,80
400€ 91,20
450€ 102,60
500€ 101,00
550€ 111,10
600€ 121,20
650€ 131,30
700€ 141,40
750€ 151,50

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 200€ 0,326€ 16,30
250 - 450€ 0,228€ 11,40
500 - 1200€ 0,202€ 10,10
1250 - 2450€ 0,147€ 7,35
2500+€ 0,114€ 5,70

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

41 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Number of Elements per Chip

1

Width

1.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

13.4 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja