N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2374DS-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 10 V
Length
3.04mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,156
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,193
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,156
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,193
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,156 | € 468,00 |
| 6000+ | € 0,147 | € 441,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 10 V
Length
3.04mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.