Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,82
€ 0,391 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,81
€ 0,491 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
€ 7,82
€ 0,391 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,81
€ 0,491 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,391 | € 7,82 |
| 200 - 480 | € 0,294 | € 5,88 |
| 500 - 980 | € 0,243 | € 4,86 |
| 1000 - 1980 | € 0,196 | € 3,92 |
| 2000+ | € 0,184 | € 3,68 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.