N-Channel MOSFET, 4.6 A, 80 V, 6-Pin SOT-23 Vishay SI3476DV-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
126 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
3.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,479
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,594
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
€ 0,479
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,594
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,479 | € 11,98 |
| 250 - 600 | € 0,451 | € 11,28 |
| 625 - 1225 | € 0,407 | € 10,18 |
| 1250 - 2475 | € 0,383 | € 9,58 |
| 2500+ | € 0,36 | € 9,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
126 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
3.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.