Vishay N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15.4 nC @ 10 V, 7.3 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,55
€ 0,755 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,48
€ 0,948 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 7,55
€ 0,755 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,48
€ 0,948 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,755 | € 7,55 |
| 100 - 240 | € 0,71 | € 7,10 |
| 250 - 490 | € 0,642 | € 6,42 |
| 500 - 990 | € 0,606 | € 6,06 |
| 1000+ | € 0,567 | € 5,67 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15.4 nC @ 10 V, 7.3 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.