Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.55mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 66,40
€ 0,332 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 83,33
€ 0,417 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
200
€ 66,40
€ 0,332 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 83,33
€ 0,417 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
200
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,332 | € 6,64 |
| 500 - 980 | € 0,311 | € 6,22 |
| 1000 - 1980 | € 0,269 | € 5,38 |
| 2000+ | € 0,224 | € 4,48 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.55mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.