Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 9.5 A, 80 V, 8-Pin SO-8 SI4896DY-T1-E3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.5 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.022 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 375,00
€ 1,35 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 235,62
€ 1,694 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 3 375,00
€ 1,35 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 235,62
€ 1,694 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.5 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.022 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.