Dual N-Channel MOSFET, 3.7 A, 30 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5902BDC-T1-GE3

RS tilauskoodi: 818-1340Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI5902BDC-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.7 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

1206 ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.12 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.5 nC @ 10 V

Width

1.7mm

Number of Elements per Chip

2

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,472

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,585

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 3.7 A, 30 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5902BDC-T1-GE3

10

Pakkauskoko 10
10€ 4,72
20€ 9,44
30€ 14,16
40€ 18,88
50€ 23,10
60€ 27,72
70€ 32,34
80€ 36,96
90€ 41,58
100€ 46,20
110€ 50,82
120€ 55,44
130€ 60,06
140€ 64,68
150€ 69,30

€ 0,472

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,585

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 3.7 A, 30 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5902BDC-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 4,72
20€ 9,44
30€ 14,16
40€ 18,88
50€ 23,10
60€ 27,72
70€ 32,34
80€ 36,96
90€ 41,58
100€ 46,20
110€ 50,82
120€ 55,44
130€ 60,06
140€ 64,68
150€ 69,30

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,472€ 4,72
50+€ 0,462€ 4,62

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.7 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

1206 ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.12 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.5 nC @ 10 V

Width

1.7mm

Number of Elements per Chip

2

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja