Dual P-Channel MOSFET, 3.8 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3

RS tilauskoodi: 818-1352Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI5935CDC-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

1206 ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

156 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 5 V

Width

1.7mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,555

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,688

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 3.8 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,555

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,688

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 3.8 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
20 - 180€ 0,555€ 11,10
200 - 480€ 0,521€ 10,42
500 - 980€ 0,472€ 9,44
1000 - 1980€ 0,443€ 8,86
2000+€ 0,416€ 8,32

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

1206 ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

156 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 5 V

Width

1.7mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja