Dual P-Channel MOSFET, 3.8 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
1206 ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
156 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
2
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,204
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,256
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
20
€ 0,204
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,256
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
20
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
1206 ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
156 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
2
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.