Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5997DU-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
10.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.98mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,325
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,403
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
20
€ 0,325
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,403
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
20
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Nauha |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,325 | € 6,50 |
| 200 - 380 | € 0,29 | € 5,80 |
| 400+ | € 0,286 | € 5,72 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
10.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.98mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.