Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1

RS tilauskoodi: 818-1438PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI8489EDB-T2-E1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

MICRO FOOT

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

82 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Width

1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.268mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 47,80

€ 0,239 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 59,99

€ 0,30 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
Valitse pakkaustyyppi

€ 47,80

€ 0,239 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 59,99

€ 0,30 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Kela
200 - 980€ 0,239€ 4,78
1000 - 1980€ 0,217€ 4,34
2000 - 4980€ 0,203€ 4,06
5000+€ 0,191€ 3,82

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

MICRO FOOT

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

82 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Width

1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

0.268mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja