N-Channel MOSFET, 2.9 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT Vishay SI8824EDB-T2-E1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
TrenchFET
Package Type
MICRO FOOT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.075 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,043
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,053
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,043
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,053
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
TrenchFET
Package Type
MICRO FOOT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.075 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.