Vishay P-Channel MOSFET, 30.3 A, 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SiA471DJ-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SC-70
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
19.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
2.15mm
Length
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.75mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 11,88
€ 0,475 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 14,91
€ 0,596 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
€ 11,88
€ 0,475 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 14,91
€ 0,596 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,475 | € 11,88 |
| 250 - 600 | € 0,451 | € 11,28 |
| 625 - 1225 | € 0,404 | € 10,10 |
| 1250 - 2475 | € 0,29 | € 7,25 |
| 2500+ | € 0,227 | € 5,68 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SC-70
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
19.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
2.15mm
Length
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.75mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.