N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB11N80AE-GE3

RS tilauskoodi: 210-4966Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIHB11N80AE-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

E

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.391 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2 → 4V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 45,10

€ 0,902 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 56,60

€ 1,132 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB11N80AE-GE3

50

Pakkauskoko 50
50€ 45,10
100€ 90,20
150€ 135,30
200€ 180,40
250€ 225,50
300€ 270,60
350€ 315,70
400€ 360,80
450€ 405,90
500€ 451,00
550€ 496,10
600€ 541,20
650€ 586,30
700€ 631,40
750€ 676,50

€ 45,10

€ 0,902 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 56,60

€ 1,132 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB11N80AE-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

50

Pakkauskoko 50
50€ 45,10
100€ 90,20
150€ 135,30
200€ 180,40
250€ 225,50
300€ 270,60
350€ 315,70
400€ 360,80
450€ 405,90
500€ 451,00
550€ 496,10
600€ 541,20
650€ 586,30
700€ 631,40
750€ 676,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

E

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.391 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2 → 4V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja