N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD3N50D-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V
Width
6.22mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,47
€ 0,694 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,35
€ 0,871 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 3,47
€ 0,694 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,35
€ 0,871 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,694 | € 3,47 |
| 50 - 95 | € 0,574 | € 2,87 |
| 100 - 245 | € 0,526 | € 2,63 |
| 250 - 495 | € 0,496 | € 2,48 |
| 500+ | € 0,48 | € 2,40 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V
Width
6.22mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.