N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SIHG15N80AE-GE3

RS tilauskoodi: 210-4983Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIHG15N80AE-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

E

Package Type

TO-247AC

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.304 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2 → 4V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 60,00

€ 2,40 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 75,30

€ 3,012 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SIHG15N80AE-GE3

€ 60,00

€ 2,40 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 75,30

€ 3,012 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SIHG15N80AE-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
25 - 25€ 2,40€ 60,00
50 - 100€ 2,25€ 56,25
125+€ 2,05€ 51,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

E

Package Type

TO-247AC

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.304 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2 → 4V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja