N-Channel MOSFET, 14 A, 23 A, 650 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 Vishay SIHH125N60EF-T1GE3

RS tilauskoodi: 200-6809Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIHH125N60EF-T1GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A, 23 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

EF

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.125 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,55

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 4,455

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 14 A, 23 A, 650 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 Vishay SIHH125N60EF-T1GE3

€ 3,55

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 4,455

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 14 A, 23 A, 650 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 Vishay SIHH125N60EF-T1GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A, 23 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

EF

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.125 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja