Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
126 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Silicon
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 836,00
€ 0,612 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 304,18
€ 0,768 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1 836,00
€ 0,612 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 304,18
€ 0,768 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
126 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Silicon
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.