N-Channel MOSFET, 110 A, 45 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR150DP-T1-RE3

RS tilauskoodi: 200-6845Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIR150DP-T1-RE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00271 Ω, 0.00397 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,732

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,919

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 110 A, 45 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR150DP-T1-RE3

50

Pakkauskoko 50
50€ 36,60
100€ 57,90
150€ 86,85
200€ 115,80
250€ 128,25
300€ 153,90
350€ 179,55
400€ 205,20
450€ 230,85
500€ 238,00
550€ 261,80
600€ 285,60
650€ 309,40
700€ 333,20
750€ 357,00

€ 0,732

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,919

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 110 A, 45 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR150DP-T1-RE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

50

Pakkauskoko 50
50€ 36,60
100€ 57,90
150€ 86,85
200€ 115,80
250€ 128,25
300€ 153,90
350€ 179,55
400€ 205,20
450€ 230,85
500€ 238,00
550€ 261,80
600€ 285,60
650€ 309,40
700€ 333,20
750€ 357,00

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 50€ 0,732€ 36,60
100 - 200€ 0,579€ 28,95
250 - 450€ 0,513€ 25,65
500 - 1200€ 0,476€ 23,80
1250+€ 0,395€ 19,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00271 Ω, 0.00397 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja