Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5708DP-T1-RE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33.8 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Silicon
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 185,00
€ 0,395 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 487,18
€ 0,496 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1 185,00
€ 0,395 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 487,18
€ 0,496 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33.8 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Silicon
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.