Vishay N-Channel MOSFET, 86 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR826LDP-T1-RE3

RS tilauskoodi: 210-5004Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SiR826LDP-T1-RE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

86 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00415 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

1 → 2.4V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2 211,00

€ 0,737 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2 774,80

€ 0,925 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 86 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR826LDP-T1-RE3

€ 2 211,00

€ 0,737 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2 774,80

€ 0,925 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 86 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR826LDP-T1-RE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

86 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00415 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

1 → 2.4V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja