N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Width
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.12mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,782
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,97
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,782
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,97
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Width
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.12mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.