Vishay TrenchFET Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual SiS590DN-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK 1212-8 Dual
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.167 O, 0.251 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 V, 2.5 V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 410,00
€ 0,47 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 769,55
€ 0,59 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1 410,00
€ 0,47 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 769,55
€ 0,59 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK 1212-8 Dual
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.167 O, 0.251 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 V, 2.5 V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.