N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS22LDN-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
92.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TrenchFET® Gen IV
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0051 Ω, 0.00365 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,555
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,697
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,555
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,697
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
92.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TrenchFET® Gen IV
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0051 Ω, 0.00365 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.