N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS22LDN-T1-GE3

RS tilauskoodi: 200-6855Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SiSS22LDN-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

92.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0051 Ω, 0.00365 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,00

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,255

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS22LDN-T1-GE3

25

Pakkauskoko 25
25€ 25,00
50€ 50,00
75€ 75,00
100€ 100,00
125€ 100,25
150€ 120,30
175€ 140,35
200€ 160,40
225€ 180,45
250€ 175,75
275€ 193,32
300€ 210,90
325€ 228,48
350€ 246,05
375€ 263,62

€ 1,00

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,255

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS22LDN-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

25

Pakkauskoko 25
25€ 25,00
50€ 50,00
75€ 75,00
100€ 100,00
125€ 100,25
150€ 120,30
175€ 140,35
200€ 160,40
225€ 180,45
250€ 175,75
275€ 193,32
300€ 210,90
325€ 228,48
350€ 246,05
375€ 263,62

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 100€ 1,00€ 25,00
125 - 225€ 0,802€ 20,05
250 - 600€ 0,703€ 17,58
625 - 1225€ 0,603€ 15,08
1250+€ 0,572€ 14,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

92.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0051 Ω, 0.00365 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja