N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS50DN-T1-GE3

RS tilauskoodi: 200-6847Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SISS50DN-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

108 A

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0041 Ω, 0.00283 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,732

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,919

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS50DN-T1-GE3

€ 0,732

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,919

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS50DN-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 50€ 0,732€ 36,60
100 - 200€ 0,66€ 33,00
250 - 450€ 0,476€ 23,80
500 - 1200€ 0,439€ 21,95
1250+€ 0,403€ 20,15

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

108 A

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Series

TrenchFET® Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0041 Ω, 0.00283 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja