Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A, 143 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3FDC
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Series
TrenchFET® Gen IV
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,947
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,174
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,947
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,174
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A, 143 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3FDC
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Series
TrenchFET® Gen IV
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.