Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3

RS tilauskoodi: 200-6872Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SiZF360DT-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A, 143 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FDC

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Series

TrenchFET® Gen IV

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,75

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,17

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3

€ 1,75

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,17

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 75€ 1,75€ 43,75
100 - 475€ 1,60€ 40,00
500 - 975€ 1,45€ 36,25
1000 - 1475€ 1,35€ 33,75
1500+€ 1,25€ 31,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A, 143 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FDC

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Series

TrenchFET® Gen IV

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja